SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 30일 밝혔다.

SK하이닉스는 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생하는 시행착오를 줄이고 SK하이닉스 1b의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨왔다.

또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 가격 경쟁력을 확보했다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 초당 8기가비트로 이전 세대 대비 11% 빨라졌으며 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 본격화된 AI 시대에 데이터센터들의 늘어나는 전력 소비량을 1c D램을 통해 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 예측했다.

SK하이닉스 관계자는 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 가겠다"고 말했다.