삼성전자가 업계 최초로 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작한다.

삼성전자는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현해 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도를 이전 세대 대비 1.5배 증가시켰다고 24일 밝혔다.

더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고 이로 인해 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 채널 홀 에칭 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성도 향상됐다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 토글5.1이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다.

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 10% 개선됐다.

환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 인공지능(AI) 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD 시장을 선도해 나가겠다"고 말했다.